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Description
PERFORMANCES SSD PCIe 4.0 NVMe DE NIVEAU SUPÉRIEUR Libérez la puissance du SSD Samsung 980 PRO pour votre informatique de niveau supérieur. Tirant parti de l'interface PCIe 4.0, le 980 PRO offre le double du taux de transfert de données du PCIe 3.0 tout en étant rétrocompatible avec le PCIe 3.0 pour une plus grande polyvalence.
VITESSE MAXIMUM Équipé du contrôleur Elpis personnalisé de Samsung pour SSD PCIe 4.0, le 980 PRO est optimisé pour la vitesse. Il offre des vitesses de lecture et d'écriture extraordinaires, ce qui le rend 2 fois plus rapide que les SSD PCIe 3.0 et 12,7 fois plus rapide que les SSD SATA.
LA COMBINAISON GAGNANTE Conçu pour les joueurs dévoués et les utilisateurs férus de technologie, le 980 PRO offre une bande passante et un débit hautes performances pour les applications lourdes dans les domaines des jeux, des graphiques, de l'analyse de données et bien plus encore.
FORMAT SSD M.2 EFFICACE Le 980 PRO est présenté dans un format compact M.2 2280, qui peut être facilement connecté aux ordinateurs de bureau et portables pour une flexibilité maximale de conception de carte. Le disque convient à la construction de systèmes informatiques hautes performances en raison de son efficacité énergétique optimisée.
CONTRÔLE THERMIQUE FIABLE Les SSD hautes performances nécessitent généralement un contrôle thermique haute performance. Pour garantir des performances stables, le 980 PRO utilise un placage en nickel pour aider à gérer le niveau de chaleur du contrôleur et une étiquette de dissipateur thermique pour fournir un contrôle thermique efficace de la puce NAND.
LOGICIEL SAMSUNG MAGICIEN Libérez toute la puissance du 980 PRO avec les outils d'optimisation intuitifs et avancés de Samsung Magician. Surveillez l’état du disque, optimisez les performances, protégez les données précieuses et recevez des mises à jour importantes.
Caractéristiques - Capacité : 250 Go - Format : M.2 2280 -Interface : PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c Cache : Samsung 512 Mo SDRAM DDR4 basse consommation - Contrôleur : Samsung Elpis - NAND : Samsung V-NAND 3 bits MLC - Vitesse de lecture séquentielle : jusqu'à 6 400 Mo/s - Vitesse d'écriture séquentielle : jusqu'à 2 700 Mo/s - Lecture aléatoire 4 Ko (QD32) : jusqu'à 500 000 IOPS - Écriture aléatoire 4 Ko (QD32) : jusqu'à 600 000 IOPS - TBW : 150 TBW
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